Кина тестира GAA транзистори за 3nm без EUV

Институтот за микроелектроника при Кинеската академија на науки, IMECAS, развил експериментален процес за изработка на транзистори со структура gate-all-around, или GAA, користејќи DUV литографија со потопување. Истражувачите веќе демонстрирале функционални примероци со наредени нано-листови, технологија што во иднина би можела да се користи за процеси